کمپانی سامسونگ در یک حرکت مثبت، قصد دارد تا تولید DRAM های جدید خود را آغاز نماید. این رم ها با بهره مندی از ماژولهای HBM2 که سرعت آنها معادل 256 گیگابایت در ثانیه است، قدرتی 7 برابر بیش از اسلاتهای DDR5 را همراه خواهند داشت.
این غول کره ای عنوان کرده است که تراشههای فوق مدرن 20 نانومتری خود را در اختیار کمپانیهای بزرگی مانند انویدیا و ای ام دی خواهد داد تا موجب سرعت بخشیدن به عملکرد و کاهش مصرف برق کارتهای گرافیک نسلهای آینده شود.
درحال حاضر سامسونگ مشغول به ساخت ماژولهای چهار گیگابایتی با چهار لایه از هستههای هشت گیگابیتی میباشد اما در آینده ای نزدیک شاهد ساخت ماژولهای هشت گیگابایتی با هشت لایه توسط این کمپانی قدرتمند خواهیم بود.
این شرکت اعلام کرده است که استفاده از تراشههای HBM2 در کارتهای گرافیک، با افزایش فضای داخلی 95 درصدی نسبت به DRAM های GDDR5 روبه رو بوده و موجب لذت بردن طراحان این صنعت خواهد شد. این بدان معناست که انویدیا و ای ام دی قادر خواهند بود تا کارتهای گرافیک به مراتب خنک تر و سریعتر نسبت به قبل ساخته که در نتیجه تحولی عظیم را در صنعت بازی سازی به وجود خواهند آورد.
