شرکت سامسونگ از اولین چیپ حافظه با ظرفیت یک ترابایت (۱۰۲۴ گیگابایت) بر اساس فناوری eUFS 2.1، رونمایی کرد. این فناوری یک حافظه ذخیرهسازی درونی با پوشش گسترده از گوشیهای هوشمند است. به زودی شاهد استفاده از ظرفیتهای حجیم در تلفنهای هوشمند خواهیم بود اما این محصول تحقیقاتی نیست و سامسونگ توانسته آن را برای تولید انبوه آماده کند. معرفی پرظرفیتترین حافظه گوشیهای هوشمند در جهان، در نزدیکی به عرضهی پرچمدار جدید سامسونگ این سوال را ایجاد میکند که آیا شاهد عرضه نسخه رده-بالا این تلفن با حافظه ذخیرهسازی درونی یک ترابایتی خواهیم بود؟ شاید گلکسی اس ۱۰ پلاس، اولین تلفن هوشمند مجهز به حافظه یک ترابایتی باشد.
مشخصات چیپ حافظه یک ترابایتی برای گلکسی اس ۱۰ پلاس
این چیپ حافظه ذخیرهسازی با وجود دوبرابرشدن ظرفیت خود نسبت به نمونه قبل، همچنان از ابعاد سابق برخوردار است. نسخه پیشین چیپ حافظه سامسونگ با ظرفیت ۵۱۲ گیگابایت با ابعاد ۱۱.۵ در ۱۳ میلیمتر، تولید شد. سامسونگ برای گنجاندن این ظرفیت بزرگ در چیپ eUFS بدون بزرگ کردن آن، ۱۶ لایه از ظرفیت فلش بر پایه V-NAND را ترکیب کرده که همه اینها با یک کنترل کننده جدید، مدیریت میشوند. افزایش ظرفیت تنها بهینهسازی این چیپ حافظه نیست و علاوه بر ظرفیت، شاهد بالا رفتن سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات بر روی این دستگاه هستیم.
این چیپ قابلیت خواندن دادههای ذخیره شده را با سرعت فوقالعاده ۱۰۰۰ مگابایت در ثانیه دارد و میتواند دادههای جدید را با سرعت ۲۶۰ مگابایت در ثانیه، وارد حافظه کند. برای مقایسه، یک نمونه حافظه از نوع “SATA SSD”، توانایی خواندن با سرعت ۵۴۰ مگابایت در ثانیه را دارد که این نزدیک به نصف سرعت خواندن نمونه تولید شده توسط سامسونگ است. در مقایسه چیپ جدید سامسونگ با نمونه قبل خود، شاهد بهبود سرعت به میزان ۳۸ درصد هستیم که قابل تحسین است.
در جدول زیر میتوانید مقایسه کاملی از نظر عملکرد نسخههای مختلف چیپ حافظه eUFS سامسونگ را با ظرفیتهای متفاوت، مشاهده کنید:
اولین نفری باشید که دیدگاه میگذارد