سامسونگ الکترونیکس امروز فاش کرد که تولید نمونههای ابتدایی از اولین DRAM گرافیکی 16 گیگابیتی با سرعت پردازش 24 گیگابیت بر ثانیه را آغاز کرده است (DRAM یا «حافظه تصادفی پویا» گونهای از حافظه تصادفی است که هر بیت را در یک خازن جداگانه ذخیره میکند و از تراشهها هم استفاده نمیکند. حافظه گرفیکی رایانههای شخصی و لپ تاپها از جمله موارد استفاده DRAM هستند). این نوع حافظه جدید بر اساس فناوری 10 نانومتری EUV ساخته شده و انتظار میرود عملکرد پردازندههای گرافیکی لپ تاپها و کنسولها را ارتقاء دهد.
این تراشه DRAM جدید از استانداردهای جهانی تبعیت کرده و از همین رو به راحتی و به شکل گستردهای میتواند توسط تولید کنندگان چیپهای گرافیکی مورد استفاده قرار گیرد.
مهندسان مرکز سوون که مقر اصلی کمپانی سامسونگ میباشد، یک مدار کاملاً نوآورانه طراحی کرده و یک ماده عایق بسیار پیشرفته به نام High-K Metal Gate یا HKMG را ساختهاند که میتواند میزان نشت داده را به حداقل برساند. این بدان معناست که DRAM GDDR6 جدید سامسونگ 30 درصد سرعت بالاتری نسبت به نسل قبلی ارائه خواهد کرد.
سری جدید GDRR6 سامسونگ همچنین امکان پایین آوردن مصرف انرژی را جهت افزایش طول عمر باتری لپتاپها ارائه میکند. این تراشه DRAM از فناوری سوئیچینگ ولتاژ دینامیکی استفاده میکند که میزان مصرف برق را بر اساس عملکرد تنظیم میکند. این شرکت در نظر دارد DRAM جدید خود را در نسخههایی با سرعت پردازش 20 گیگابیت بر ثانیه و 16 گیگابیت بر ثانیه در ولتاژ کاری 1.1 ولت به جای استاندارد 1.35 ولت فعلی، تولید کند.
دانیل لی، از مدیران ارشد سامسونگ، دلیل تولید این نوع حافظهها با چنین سرعت پردازش بالایی را، جهش به وجود آمده در زمینه هوش مصنوعی و متاورس و نیاز شدید به قدرت پردازش بالاتر دادهها عنوان کرده است. این شرکت در حال حاضر در حال نمونهبرداری از پلتفرم جدید خود است و این یعنی مراحل تست عملی محصول با موفقیت انجام شده و به زودی میتوانیم شاهد ورود آن به بازار در قالب پردازندههای گرافیکی جدید باشیم.
