غول کره‌ای دنیای فناوری یعنی کمپانی سامسونگ در همکاری با شرکت سیناپسس (Synopsys)، خبر از آمادگی برای تولید انبوه اولین تراشه اگزینوس 3 نانومتری خود داد. اگر چه در این اطلاعیه مطبوعاتی به صراحت به نام اگزینوس اشاره نشده، اما جزئیات آن نویدبخش ورود نسل جدیدی از تراشه‌های قدرتمند برای دستگاه‌های هوشمند سامسونگ است.
همکاری سامسونگ با سیناپسس، که شرکتی متخصص در اتوماسیون طراحی الکترونیک است، به منظور بهینه‌سازی فرآیند تولید و در نتیجه، افزایش بازدهی و بهبود عملکرد تراشه‌های پردازشی این شرکت صورت گرفته است. بر اساس این اطلاعیه، دو شرکت در حال گذراندن آخرین مرحله طراحی به نام “Taping Out” هستند. در این مرحله، طرح نهایی به کارخانه ریخته‌گری ارسال می‌شود تا خطوط تولید برای فرآیند تولید انبوه آماده‌سازی شوند.
این تراشه، اولین تراشه پیچیده و با کارایی بالا از سامسونگ خواهد بود که با استفاده از فرآیند GAA (مخفف Gate-All-Around) بر روی گره 3 نانومتری ساخته می‌شود. پیش از این، کارخانه‌های ریخته‌گری سامسونگ از سال 2022 تولید تراشه‌های 3 نانومتری را آغاز کرده بودند، اما این تراشه‌ها موارد ساده‌تری بودند که برای استخراج ارزهای دیجیتال به کار می‌رفتند. در حالی که تراشه‌های سیستم-روی-چیپ (SoC) که در دستگاه‌های موبایل استفاده می‌شوند، سخت افزارهای پیچیده‌تری هستند و به فرآیندهای طراحی و تولید متفاوتی نیاز دارند.
در صورت موفقیت‌آمیز بودن این مرحله، انتظار می‌رود که کارخانه‌های ریخته‌گری سامسونگ ظرف چند ماه آینده تولید انبوه نسل جدید تراشه‌های SoC را آغاز کنند. با این حال، هنوز مشخص نیست که آیا اولین تراشه 3 نانومتری، تراشه اگزینوس 2500 برای گوشی‌های هوشمند سری گلکسی S25 خواهد بود یا تراشه دیگری این عنوان را به خود اختصاص خواهد داد. به عنوان مثال، ساعت هوشمند گلکسی واچ 7 که به زودی عرضه خواهد شد، ممکن است با جدیدترین سخت افزار سامسونگ ارتقاء پیدا کند و در نتیجه یکی از نامزدهای دریافت پردازنده 3 نانومتری محسوب می‌شود.
بیشتر بدانید:
در دنیای پیچیده تولید تراشه‌ها، واحد نانومتر نقشی کلیدی ایفا می‌کند. این واحد اندازه‌گیری، معیاری برای سنجش ظرافت و پیچیدگی فرآیند تولید تراشه‌ها است و به طور کلی، هر چه عدد نانومتر کوچک‌تر باشد، تراشه قدرتمندتر، کارآمدتر و البته گران‌تر خواهد بود.
نانومتر واحد مناسبی برای اندازه‌گیری ابعاد ترانزیستورها است که بلوک‌های سازنده تراشه‌ها به شمار می‌روند. ترانزیستورها وظیفه پردازش اطلاعات و انجام محاسبات را بر عهده دارند و هر چه تعداد آن‌ها در واحد سطح بیشتر باشد، تراشه قدرتمندتر خواهد بود. با کوچک شدن ترانزیستورها و افزایش تراکم آن‌ها در واحد سطح، می‌توان تعداد بیشتری ترانزیستور را در یک تراشه جای داده و به این ترتیب، عملکرد و کارایی تراشه را به طور قابل توجهی ارتقا داد.
این خبر، گامی مهم برای سامسونگ در راستای رقابت با شرکت‌هایی مانند TSMC در عرصه تولید تراشه‌های پیشرفته به شمار می‌رود. فرآیند تولید 3 نانومتری تراشه‌ها، منجر به افزایش تراکم ترانزیستور و در نتیجه، بهبود عملکرد و کاهش مصرف انرژی دستگاه‌های مجهز به این تراشه‌ها می‌شود. با اینکه هنوز مشخص نیست اولین دستگاهی که از این تراشه بهره‌مند خواهد شد کدام است، اما می‌توان انتظار داشت که به زودی شاهد حضور گوشی‌های هوشمند، ساعت‌های هوشمند و سایر دستگاه‌های الکترونیکی مجهز به تراشه‌های 3 نانومتری سامسونگ باشیم که هم قدرتمندتر و هم کم‌مصرف‌تر از نمونه‌های فعلی خواهند بود.
