سامسونگ تولید انبوه نسل دوم رم‌های 10 نانومتری را آغاز کرد

159
نسل دوم رم‌های 10 نانومتری

سامسونگ در حال حاضر اقدام به تولید انبوه نسل دوم رم‌های DDR4 DRAM هشت گیگابیتی (8Gb) کلاس 10 نانومتری خود کرده که قرار است پایه و اساس رم‌های DDR4 آینده این شرکت باشد.

نسل جدید رم‌های کلاس 10 نانومتری حدود 10 درصد سریع‌تر و 15 درصد کارآمد‌تر از نسل قبل خواهند بود.

رم‌های DDR4 هشت گیگابیتی جدید می‌توانند با سرعت 3،600 مگابیت در ثانیه در هر پین عمل کنند که در مقایسه با 3200 مگابیت در ثانیه نسل قبل، پیشرفت قابل ملاحظه‌ای است.

همه این‌ها بدان معنی است که سامسونگ به یک پایه بهتر برای تولید حافظه‌های رم سریع‌تر دست پیدا کرده و این رم‌های جدید می‌توانند در گوشی‌های هوشمند، لپ تاپ، رایانه‌های شخصی، ساعت‌های هوشمند و تمام انواع دستگاه‌های هوشمند، به کار گرفته شوند.

دیدگاه خود را ثبت کنید

avatar