سامسونگ تولید انبوه نسل دوم رم‌های 10 نانومتری را آغاز کرد

نسل دوم رم‌های 10 نانومتری

سامسونگ در حال حاضر اقدام به تولید انبوه نسل دوم رم‌های DDR4 DRAM هشت گیگابیتی (8Gb) کلاس 10 نانومتری خود کرده که قرار است پایه و اساس رم‌های DDR4 آینده این شرکت باشد.

نسل جدید رم‌های کلاس 10 نانومتری حدود 10 درصد سریع‌تر و 15 درصد کارآمد‌تر از نسل قبل خواهند بود.

رم‌های DDR4 هشت گیگابیتی جدید می‌توانند با سرعت 3،600 مگابیت در ثانیه در هر پین عمل کنند که در مقایسه با 3200 مگابیت در ثانیه نسل قبل، پیشرفت قابل ملاحظه‌ای است.

همه این‌ها بدان معنی است که سامسونگ به یک پایه بهتر برای تولید حافظه‌های رم سریع‌تر دست پیدا کرده و این رم‌های جدید می‌توانند در گوشی‌های هوشمند، لپ تاپ، رایانه‌های شخصی، ساعت‌های هوشمند و تمام انواع دستگاه‌های هوشمند، به کار گرفته شوند.

منبعgsmarena
حسین محمودزاده
حسین محمودزاده عاشق فناوری‌های نو و دنیای تکنولوژیه و به مطالعه و تحقیق در این زمینه علاقه داره. او چندین سال هست که به صورت جدی به نویسندگی در حوزه آی تی می‌پردازه و نویسندگی در وب سایت دیجی رو از مهمترین فعالیت‌هاش در این زمینه به شمار می‌ره. فعالیت در حوزه بازی‌های رایانه‌ای از دیگر علایق او هست و در این زمینه حرف‌های زیادی برای گفتن داره!

دیدگاه خود را ثبت کنید

دیدگاه خود را وارد کنید
لطفا نام خود را وارد کنید