کوالکام روز گذشته از یکی از برترین چیپست های سال 2017 با نام اسنپ دراگون 835 رونمایی کرد. این تراشه جانشینی برای اسنپ دراگون 821 است و یکبار دیگر ثابت میکند که فلسفه نام گذاری کوالکام برای ما همچنان قابل درک نیست.
اگرچه از تمام ویژگی ها و مشخصات این تراشه جدید پرده برداشته نشده است با این حال طبق اعلام کوالکام، سیلیکون این تراشه توسط سامسونگ و با پردازش 10 نانومتری FinFET تولید خواهد شد و برای تجربه شارژ سریعتر از تکنولوژی جدید شارژ سریع 4.0 بهره میبرد. این به این معناست که با وجود کاهش 30 درصدی اندازه فیزیکی، اسنپ دراگون 835 در مقایسه با اسنپ دراگون 820 معادل 27 درصد سریعتر و 40 درصد کم مصرف تر خواهد بود.
در طرف دیگر، شارژ سریع 4.0 در مقایسه با شارژ سریع 3.0، 20 درصد سرعت شارژ بیشتری دارد و تنها با 5 دقیقه شارژ کردن دیوایس قادر خواهید بود تا 5 ساعت از آن استفاده کنید.
در ادامه میتوانید مقایسه دقیق تر اسنپ دراگون 835 با اسنپ دراگون 821 و 820 را در جدول زیر مشاهده کنید:
| اسنپ دراگون 820 | اسنپ دراگون 821 | اسنپ دراگون 835 | چیپ ست |
| 14 نانومتری | 14 نانومتری | 10 نانومتری | تکنولوژی پردازش |
| 4 هسته کریو | 4 هسته کریو | نا مشخص | هسته های پردازنده |
| 2x تا 2.2 گیگاهرتز | 2x تا 2.4 گیگاهرتز | نا مشخص | خوشه هسته عملکرد بالا |
| 2x تا 1.6 گیگاهرتز | 2x تا 2.0 گیگاهرتز | نا مشخص | خوشه هسته کم مصرف |
| Adreno 530 | Adreno 530 | نا مشخص | پردازنده گرافیکی |
| 624MHz | 653MHz | نا مشخص | کلاک پردازنده گرافیکی |
| 3.0 | 3.0 | 4.0 | نسخه شارژ سریع |
| 2015 | 2016 | 2017 | سال عرضه |
